Энциклопедия по машиностроению XXL. Моделирование схем

4.2. Пример построения и моделирование схемы

Необходимо построить схему для моделирования работы лабораторного стенда при исследовании вольтамперных характеристик диода (рис.3.90).

Рис.3.90. Схема

Схема будет содержать измерительные приборы, представленные резисторами -эквивалентами миллиамперметра и милливольтметра, источник питания (батарею постоянного тока) и собственно исследуемый диод. Последовательность действиепо подготовке такой схемы к проведению анализа может быть таковой:

•В окне программы выбирается местоположение элементов схемы и производится вызов контекстного меню для установки компонент за счет щелчка ПКМ. Вызвать окно выбора компонент можно и «горячими» клавишами (Ctrl+W), ичерез панели инструментов (см. рис.3.85).

•Далее в появившемся окне выбора компонент выбирается требуемый элемент из соответствующей базы данных (резистор, соответствующий измерителю тока, с величиной сопротивления, равной 1 Ом) и нажимается экранная кнопка ОК (рис.3.91).

Рис.3.91. Диалоговое окно

Например, можно выбрать виртуальный резистор RatedResistor(см. рис.3.91), резистор, которому кроме обычных параметров можно назначить предельно допустимую мощность - мощность, при превышении которой этот элемент выйдет из строя, «сгорит». Если после установки на схеме этот резистор имеет сопротивление, определенное программой и не устраивающеепользователя, то виртуальному резистору можно назначить новое значение, для этого дважды щелкают по резистору ЛКМ и в окне свойств резистора и на закладкеValue устанавливается новое (можно произвольное, не «в сетке») значение сопротивления, см.рис.3.89. Если резистор устанавливается «фабричный», то свободы действий при изменении сопротивления не будет. В этом случае можно лишь удалить старый резистор и поставить новый, выбрав сопротивление в соответствии с разрешенным рядом значений.

Аналогично устанавливается второй резистор, соответствующий измерителю напряжения, вольтметру (величина этого сопротивления определена как 1 Ом), иисточник питания схемы. Источник питания выбирается из базы данных Master Databaseкак источникDC_POWER(рис.3.92). Установка диода в схеме проводится аналогично предыдущим элементам.

Рис.3.92. Диалоговое окно Select a Component

Параметры для виртуального диода, его модели можно увидеть и можно переопределить после нажатия кнопки EditModel, рис.3.93 и 3.94.

Размещенные на схеме элементы схемы можно перемещать, выделив их предварительно, можно вращать (по горизонтали и по вертикали) и поворачивать (по часовой стрелке и против часовой стрелки) как с использованием панели меню Edit / Orientation, так и с помощью горячих клавиш.

Ctrl-R - повернуть компонент на 90 градусов по часовой стрелке.
Ctd-Shift-R - повернуть компонент на 90 градусов против часовой стрелки.
Alt-X- повернуть компонент по горизонтали.
Alt-Y- повернуть компонент по вертикали.

Рис.3.93. Окно RISISTOR_RATED

Рис.3.94. Окно EditModel

Рис.3.95. Панели меню Edit / Orientation

Подготовленную к моделированию схему можно несколько усовершенствовать для более удобной работы с ней. Так же, как и узлам схемы, можно дать имена резисторам, которые будут более наглядно отражать их свойства. Так, резистор R1 - резистор, отображающий миллиамперметр, можно назвать RmA, а резистор R2, отображающий милливольтметр, можно назватьRmV. Для задания имен этих резисторов необходимо вызвать окно свойств каждого из резисторов (двойной щелчок ЛКМ по компоненту) и на закладкеLabel свойств в полеRefDes (RefDes= =ReferenceDesignato) задать его (рис.3.96).

Имя компонента может состоять из букв и цифр, но не должно содержать других символов. Кроме этого, для сохранения преемственности с другими программами схемотехнического анализа и имя должно сохранить первую буквуRдля резистора, С для емкости и т. д. Изменение имени компонента, метки компонента возможноза счет введения в поле Label и/или Справочной информации (RefDes = Reference Designate) нового значения. Но значение RefDes должно быть для компонента уникальным. Если значениеRefDesбудет равноRefDesдругого компонента, то программа выдаст сообщение об ошибке и заставит изменить это значение. В группе Attributes можно указать признаки, комментарии, позволяющие уточнить детали изменения компонента. Здесь можно записать комментарии к изменению, например «уточнение значения резистора для заказчика» и т. д. В полеShow дляAttributes можно указать режим отображения составляющих группы (рис.3.96). Для сохранения изменения нажать кнопку ОК, а для отказа от изменения Cancel. Вид измененной схемы показан на рис.3.97.

Рис.3.96. Окно RISISTOR_RATED

Рис.3.97. Схема

Для удобства работы со схемой можно использовать возможность масштабирования схемы с помощью панели View, рис.3.98. Масштабирование можно выполнить с помощью клавиш F8 (увеличение масштаба) F7 (уменьшение масштаба). Дополнительные возможности дает и колесико мыши. (если оно имеется), режим работы для него устанавливается в меню Options/Global preference… на закладк General, см. рис.3.79.

Рис.3.26. ПанельView

Созданную схему можно снабдить комментариями. Для их введения служит контекстное меню с пунктом Place Comment, рис.3.99.

Рис.3.99. Контекстное меню

После ввода схемы можно провести контроль электрических соединений (кнопка Electrical Rules Checking (см рис.3.73, 4 – панельMain(главная)). Правила проверки определяются в окне свойств проверки электрических соединений на закладкеERC Option (Electrical Rules Checking) (рис.3.100). Проверку можно провести как для всей схемы, так и длянекоторой ее части. Более тонкая настройка проверки схемы - установка уровня отображаемых ошибок и предупреждений возможна с использованием возможности закладкиERCRules(рис.3.101), но, как правило, это используется очень редко и здесь в данном пособии рассматриваться не будет.

Рис.3.100.Окно ElectricalRulesCheck

Рис.3.101.Окно Electrical Rules Check

Результаты проверки сообщаются в блоке сообщений, в нижней части окна программы (рис.3.102, схема не имеет ошибки). Если имеется ошибка (рис.3.103 (обрыв в проводнике), то выводится сообщение об ошибке, рис.3.104. При двойном щелчке левой кнопкой мыши по строке с сообщением об ошибке вызовет место где имеется ошибка на схеме.

Рис.3.102. Блок сообщений

Рис.3.103. Схема с обрывом в проводнике

Рис.3.104. Блок сообщений о неподсоединенном выводе

Моделирование схемы

Программа Multisim оптимизирована для моделирования аналоговых и цифровых схем, а также схем смешанных. Вычислительноеядро Multisim использует методы SPICE3F5 и XSPICE (стандарты, принятые промышленностью), что делает работу с программой достаточно комфортной, а результаты моделирования - точными. Сам анализ работы может быть проведен либоза счет введения в схему измерительных приборов, которые и определят вид анализа, либо за счет использования назначаемых методов анализа и дальнейшей обработки (постобработки) полученных результатов.

Исследование с помощью измерительных приборов

Программа Multisim имеет достаточно большой исходный набор виртуальных приборов для исследования схем. Их использование позволяет просто получать результаты моделирования, а правила применения этих приборов достаточно простыи похожи на правила использования реальных приборов. В некоторых случаях приборы и внешне выглядят так же, как и реальные, имеющиеся в лаборатории. Использование виртуальных приборов - это самый легкий способ исследовать поведениесхемы и получить результаты моделирования. Тип измерительных приборов, включенных в схему, будет определять и вид анализа - по постоянному току, по переменному току, во временной или частотной области и т. д.

В программе Multisimизмерительные приборы могут быть сгруппированы в 6 категорий:

1. Инструменты для частотного анализа (АС) и анализа по постоянному току (DC):

Function Generator;
Multimeter;
2-Channel Oscilloscope;

4-Channel Oscilloscope;
Wattmeter;
IV Analyzer;
Frequency Counter;
Bode Plotter;
Distortion Analyzer.

2. Инструменты для анализа цифровых схем:

Logic Analyzer;
LogicConverter;
WordGenerator.

3. Инструменты для специального анализа RF:

Spectrum Analyzer;
Network Analyzer.

4. Инструменты, моделирующие приборы фирм - производителей измерительных

приборов:

■ Agilent Oscilloscope Type: 54622D;

■ Tektronix Oscilloscope Type: TDS 2024.

5. Измерительные пробники:

Dynamic Probe;
Referenced Probe;

■ Current Probe.

6. Инструменты, интегрированные с программой NI LabVIEW:

LabVIEW Microphone;
LabVIEW Speaker;
LabVIEW Signal Analyzer;

■ LabVIEWSignalGenerator. В дополнение к набору стандартных приборов, которые уже имеются вMultisim,

можно создать и свои собственные, заказные приборы, используя графическую среду программыLabVIEW.

Виртуальные приборы имеют 2 вида представления на схеме: иконку (рис.3.105), которую можно разместить на схеме, и инструментальное окно, где можно управлять прибором и считывать его показания (рис.3.106). Переключаться из одного вида в другой можно за счёт щелчков по иконке. Инструментально окно всегда будет на переднем плане, его можно перемещать в окне программы. Все данные, имеющиеся в виртуальных приборах, могут быть сохранены.

Инструментальное окно

Иконка

Рис.3.105. Инструментальное окно и иконка

Иконка прибора содержит выводы, которыми этот прибор подключается к схеме, которая указывает, как прибор может быть размещен в схеме. Соединение приборасо схемой происходит так же, как и соединение любого компонента. Выбрать и поместить прибор на схеме можно с использованием меню Simulate / Instruments / (необходимый прибор из набора приборов программы) (рис.3.106).

Рис.3.106. Меню Simulate / Instruments

На см. рис.3.107 представлены способ вызова инструмента из меню, иконка прибора мультиметра ХММ1 и лицевая панель, окно измерения прибора. Подключение прибора в схему, как уже отмечалось, ничем не отличается от подключения любого компонента. На иконке прибора мультиметра отмечены выводы плюси минус. Подключение в схему прибора так, чтобы ток втекал в вывод плюс, даст положительные значения тока, а подключение «наоборот» - отрицательное значение тока.

С помощью мультиметра можно измерять ток, напряжение, сопротивление - в полной аналогии с реальным физическим прибором, у которого на лицевой панели тоже есть такие же переключатели (рис.3.108). Передняя панель мультиметра, она открывается, если щелкнуть по иконке прибора дважды ЛКМ, содержит еще один переключатель - режим измерения напряжения в децибелах. Здесь же можно выбрать.И режим измерения по постоянному и переменному току. Экранная кнопка на панели мультиметра

позволяет отобразить параметры мультиметра как прибора и отдельном окне (см. рис.3.108).

Рис.3.107. Приборы ХММ1, ХММ2 и лицевые панели

Рис.3.108. Панель мультиметра и окно

В окне свойств прибора можно видеть: в группе Electronic Setting то, что онимеет внутреннее сопротивление, равное 1 нОм, если он измеряет электрический ток, имеет внутреннее сопротивление 1 ГОм, если измеряет напряжение и для измерения сопротивления прибор формирует ток 10нА через подключенный элемент схемы, который затем используется для вычисления сопротивления. В группеDisplay Setting - значения, определяющие условия индикации ошибки при измерении. Так,если, например, напряжение превысит значение Voltmeter Over range, то программой будет выдано сообщение об ошибке.

Все перечисленные параметры могут быть изменены при настройке работы прибора в схеме, так, если последовательное или параллельное сопротивление (измеритель тока или напряжения) будут влиять по своей величине на работу схемы, то их можно поменять на новое значение.

Измерение, моделирование работы схемы начнется тогда, когда пользователь вос пользуется кнопкой запуска моделирования, см. рис.3.73. Существуют и другие способы запуска процесса моделирования.. После включения процесса моделирования через несколько секунд время определится в соответствии с ресурсами компьютера, на экранах мультиметров появятся значения тока и напряжения. Признаком работы программы в режиме моделирования является индикация в статусной строке (внизу, справа) окна программы времени моделирования и название задачи (рис.3.109). После включения

Рис.3.109. Вид индикации в статусной строке

процесса моделирования через несколько секунд время определится в соответствии с ресурсами компьютера, на экранах мультиметров появятся значения тока и напряжения.После этого процесс моделирования можно остановить, вторично нажав на кнопку запуска моделирования.

Кроме рассмотренного мультиметра, в программе Multisim имеется еще набор простых измерителей-индикаторов. Их можно найти на панели Measurement Componentsили в окне (при выборе режима установки компонент)SelectaComponents(рис.3.110 рис.3.111).

Рис.3.110. Панель Measurement Components

Рис.3.111. Окно SelectaComponents

Вceиндикаторы имеют, аналогично прибору мультиметру, узлы подключения к схеме, плюс и минус. Двойным щелчком ЛКМ можно открыть окно свойств прибора, где можно увидеть и изменить его параметры (закладка Value). Это окно позволяет посмотреть и изменить параметр - режим измерения (по постоянному или переменному току -ModeDC,ModeAC) и параметр - последовательное или параллельное подсоединенное сопротивление (ResistanceR). Еще раз напомним, что все реальные измерители тока и напряжения (с точки зрения схемотехники) имеют конечное сопротивление, для измерителей тока оно маленькое, для измерителей напряжения- оно очень большое. Внеш ний вид прибора, установленного в схему, не меняется, и показания прибора сразувидны на его передней панели, которая является одновременно и иконкой прибора (рис.3.112).

Рис.3.112. Внешний вид приборов, установленных в схему

С помощью измерительных приборов можно получать не только значения тока и напряжения в статическом режиме, но и организовывать получение графических зависимостей, например ВАХ-приборов. Для получения ВАХ полупроводниковых диодов и транзисторов используют IV-плоттер программыMultisim, который может быть вызван либо из пунктов менюSimulate / Instruments / IV Analyzer (см.рис.3.34), либо через панель инструментов Instruments.

После двойного щелчка по иконке прибора открывается окно свойств анализатора ВАХ (рис.3.113). С его помощью можно получить ВАХ -диода, биполярного и полевых

Рис.3.113. Окно свойств анализатора ВАХ

транзисторов для каждого случая, а выбор электронного полупроводникового прибора осуществляется за счет выбора его названия в выпадающем списке (рис.3.114) Components. В блокеCurrentRange(пределы анализа тока) указывается значение диапазона тока (начало -Iи конец диапазона -F), а в блокеVoltageRange(пределы анализа по напряжению) указывается значение диапазона напряжения (началоIи конец диапазона-F).

В правом нижнем углу окна свойств анализатора ВАХ указана схема включения полупроводникового прибора. Экранная кнопка — предназначена для инвертирования цвета экрана построителя ВАХ, а экранная кнопка- параметры моделирования, на рисунке показано, что начало изменения напряжения

Рис.3.114. Выбор электронного полупроводникового прибора

назначено кик 0, а окончание - 2 В. Шаг по напряжению определен 1 мВ (рис.3.115).

Рис.3.115. Окно SimulateParameters

Начало моделирования определяется нажатием кнопки. После появления кривой ВАХ на экране повторное нажатие на эту клавишу остановит процесс моделирования, а па (кране окнаIVAnalyzerбудет показана ВАХ-диода (рис.3.116).

Рис.3.116. ВАХ-диода

Мы рассмотрели ВАХ используя инструмент IV Analyzer.Получить ВАХ-диода можно, моделируя работу диода, используя режим анализаDCSweep. В этом режиме можно определить ток и напряжение для любого элемента в схеме, здесь можно проводить анализ для ряда значений входного напряжения (или входного тока) источника питания. В режиме DC Sweep можно получить результаты, которые невозможны для других случаев моделирования, с использованием приборовMultisim.

При запуске моделирования схемы (рис.3.117) в режиме SPICE-анализа (временной анализ, AC Sweep, DC Sweep или любой другой анализ из списка назначаемых - рис. 3.118) необходимо указать переменные, которые будут выводиться в массив данных для визуализации в окнеGraphe r (Просмотр графика).

Рис.3.117. Схема

На рис.3.37 показано, что для анализа выбран ток диода (доступ к выбору переменной для индикации осуществляется через экранную кнопку. На закладке выбрать как показано на см. рис.3.119, определить ток как функцию для построения графика. Пределы анализа назначаются на закладкеAnalysts Parameter (Анализируемые параметры) в группеSource1 (Источник 1)см. рис.3.120. Для рассматриваемого случая начальное значение напряжения источникаvvlзадано как О В, а конечное 1 - В. Шаг по значению напряжения определен 0,005 В. Результат анализа показан на рис.3.121.

Рис.3.118. Меню Моделирование

Рис.3.119. Диалоговые окна DC

Рис.3.120. Диалоговое окно Изменения на DC

Рис.3.121. Результат анализа

studfiles.net

Моделирование схемы из - Энциклопедия по машиностроению XXL

Имитационное моделирование узлов или процессов может выполняться как самостоятельный машинный эксперимент. Если имитационное моделирование производится в рамках физического эксперимента, его применяют для формирования программы испытаний, при обработке результатов испытаний и непосредственно в процессе испытаний. В последнем случае ЭВМ встраивают в экспериментальную установку для имитации реальных узлов исследуемого станка. В табл. 15 показано, что испытательная установка кроме узлов Yx и содержит ЭВМ, которая имитирует еще один узел реального объекта испытаний. Узлы Kj и Y осуществляют физическое моделирование составляющих реального объекта испытаний. ЭВМ обеспечивает машинную (программную) имитацию узлов, трудно реализуемых в лабораторных условиях, или в тех случаях, когда необходимо структуру и параметры этих узлов менять в широких пределах. Обычно имитируются отдельные узлы или полностью система управления станком. Например, в процессе испытаний фрезерного станка с импульсно-следящей системой ЧПУ (см. рис. 69) с помощью решающих блоков аналоговой вычислительной машины имитировались корректирующие фильтры следящих приводов по координатам X и F [62]. Эго позволило проверить правильность выбора передаточных функций корректирующих фильтров. Кроме того, исследовали влияние неидентичности параметров коррекции и влияние компенсации скоростной ошибки следящих приводов на контурную точность. Принципиальная схема моделирования одного из вариантов кор- [c.167] В книге изложены результаты исследований авторов в области постановки и решения задач оптимизации при схемотехническом проектировании электронных схем. Освещена сущность и основные особенности проектирования электронных схем как в дискретном, так и интегральном исполнении. Проанализированы возможности решения различных задач, возникающих на этапе схемотехнического проектирования электронных схем, с помощью ЦВМ. Описаны различные критерии оптимальности и способы постановок задач оптимизации в электронике. Изложены машинно-ориентированные модели компонентов и наиболее перспективные методы моделирования схем. Даны перспективные методы анализа электронных схем и определены области их предпочтительного применения. Проанализирован ряд методов оптимизации для целевых функций, обладающих гребневым характером. Значительное место уделяется одной из наиболее важных задач схемотехнического проектирования — задаче расчета параметров компонентов, сформулированной в виде задачи нахождения максимума функции минимума. Рассмотрены алгоритмы решения задачи расчета параметров компонентов, основанные на свойстве дифференцируемости функции минимума по направлению. Приводится проекционный алгоритм решения этой задачи, в котором уравнения гребня в виде ограничений типа равенств формируются в процессе поиска. Результаты теоретических исследований иллюстрируются большим количеством примеров и рисунков. [c.2]

Дедуктивный и конкурентный методы — одни из наиболее эффективных методов анализа тестов. В этих методах для каждого входного набора вместо т-кратного моделирования схемы применяется однократное моделирование, направленное на получение списков неисправностей (СН). Списки неисправностей вычисляются для всех линий схемы. В список для линии х включаются все те неисправности, которые приводят к отклонению значения переменной л от ее значения в исправной схеме. Получив СН для наблюдаемых выходов, можно определить, какие неисправности обнаруживаются на данном входном наборе. [c.125]

После создания схемы из библиотечных элементов, прежде чем запустить процесс моделирования, необходимо произвести три простых действия [c.182]

Значения параметров каждого элемента изменяются независимо от остальных. Например, если в схеме есть два резистора сопротивлением 10К, а допуск установлен равным 10%, то во время первого прохождения процесса моделирования один из резисторов может получить значение 953 Ом, а другой 1022 Ом. Программа моделирования использует независимые генераторы псевдослучайных чисел для получения значений параметров каждого отдельного элемента. [c.196]

Большие значения Гм обусловливают применение для анализа тестов наиболее экономичных методов моделирования логических и функциональных схем. Обычно используют параллельное синхронное трехзначное моделирование. Трехзначный алфавит целесообразен для отбраковки входных векторов Xft, приводящих к состязаниям сигналов в блоке, из-за которых результаты применения теста могут стать неопределенными. [c.259]

При автоматизированном проектировании имитационные модели предназначены для изучения особенностей функционирования проектируемых структур, состоящих из разнообразных элементов (дискретных и непрерывных, детерминированных и стохастических и т.д.). Имитационные программы строят по модульному принципу, при котором все элементы системы описываются единообразно в виде некоторой стандартной математической схемы — модуля. Схемы и операторы сопряжения модулей друг с другом позволяют строить универсальные программы имитации, которые должны осуществлять ввод и формирование массива исходных данных для моделирования, преобразования элементов системы и схем сопряжения к стандартному виду, имитацию модуля и взаимодействия элементов системы, обработку и анализ результатов моделирования, [c.351]

Технология разработки ПП АВЧ рабочей КД. Последовательность стадий и этапов разработки ПП АВЧ, а также методы и средства, применяемые при этом, называют компьютерной технологией или технологией разработки ПП АВЧ. Одна из возможных схем такой технологии, много лет применяемая на кафедре ИГ МАИ, показана на рис. 12.3. Основными стадиями технологии разработки ПП АВЧ являются моделирование, проектирование, программирование и использование ПП. Каждая из этих стадий имеет несколько этапов. [c.354]

На рис. 1, с, 2, а и 3, и представлены проекционные чертежи пересекающихся цилиндров, на рис. 1, б. 2, б и 3, б — кинематические схемы соответствующих механизмов, точка К каждого из которых описывает линию пересечения цилиндров. Схемы основаны на совместном моделировании кинематического образования цилиндров, как поверхностей вращения, что определяет общность конструктивных схем для всех случаев пересечения цилиндров. Каждая из схем включает составное жесткое звено со сторонами КС и КВ, соответствующими образующим пересекающихся цилиндров. Сторона КС вращается около оси О, — 0 , параллельной оси 0[ — 0 цилиндра [c.41]

Топологические уравнения подсистем записываются для узлов и контуров эквивалентной схемы, поэтому получение эквивалентной схемы — необходимый этап подготовки технического объекта к моделированию. Поскольку существующие методы получения топологических уравнений основаны на применении графов, рассмотрим основные определения и понятия из их теории. [c.109]

Сущность указанного метода испытаний состоит в определении вероятностного распределения значений рабочих Показателей только некоторой выборки объема п из всей партии N изделий. В данном случае расчет параметров распределения у. проводится по общей схеме статистических испытаний, когда каждый экземпляр изделия из выборки и подвергается только эксплуатационным воздействиям. Схема алгоритма моделирования выборочных испытаний представлена на рис. 6,41 Здесь Л/экспл обозначает объем статистических испытаний, которые проводятся с каждым вариантом объекта из выборки п. Л экспл можно определить из рис. 5.7, задавшись необходимыми уровнями точности и доверительной вероятности. По результатам проверки выборки принимается решение о качестве всей партии изделий, а именно партия удовлетворяет предъявляемым требованиям, если [c.260]

Имея в виду приведенные пояснения, вопросы моделирования (рассмотренные вьппе) можно представить схемой на рис. 16-1. Из этой схемы, в частности, видно следующее [c.522]

Процесс решения уравнений, описывающих поведение механизма на АВМ, называют моделированием, а схемы, составленные из блоков АВМ для решения записанных уравнений, носят название их аналоговых моделей. [c.10]

Постоянные коэффициенты при машинных переменных или машинные коэффициенты являются коэффициентами усиления решающих блоков в схеме моделирования. Эти коэффициенты рассчитываются, исходя из значений коэффициентов физических уравне- [c.16]

Схема моделирования уравнений (И.1.10) —(II.1.18), приведенная на рис. II. 1.2, включает девять решающих блоков (но числу уравнений), из которых два интегратора 6 и 7), пять сумматоров (2—5, 9) и два нелинейных блока БИ-1 воспроизводит возведение в квадрат 1у, Eli-2 — извлечение квадратного корня. Усилители / и 8 выполняют необходимые операции перемены знака. На схеме показано, какие переменные отображают напряжения на выходах решающих блоков. [c.18]

В таких схемах протекание многомерного физического процесса на каждом временном шаге представляется как результат последовательной реализации соответствующих одномерных процессов, каждый из которых начинается от распределения поля, возникшего после окончания предыдущего одномерного процесса. На основе такого представления, называемого расщеплением задачи по пространственным переменным, моделирование одномерных процессов проводится с помощью неявных схем, а последовательное действие процессов учитывается по существу явным образом, т. е. решение многомерной задачи сводится к расчету на каждом шаге по времени набора одномерных задач, решаемых в случае уравнения теплопроводности методом прогонки. Применение неявной аппроксимации одномерных задач обеспечивает устойчивость схемы, а общее число арифметических действий оказывается пропорционально числу [c.118]

В маршрутах проектирования БИС и СБИС к числу основных проектных процедур относятся верификация логических и функциональных схем, синтез и анализ тестов. В этих процедурах требуется многократное выполнение моделирования логических схем. Однако высокая размерность задач логического моделирования (СБИС насчитывают.десятки—сотни тысяч вентилей) существенно ограничивает возможности многовариантного анализа. Так, современные программы анализа логических схем на универсальных ЭВМ могут обеспечить скорость моделирования приблизительно 10 вентилей в секунду (т. е. на анализ реакции схемы из 10 вентилей на один набор входных воздействий затрачивается 1 с машинного времени), что значительно ниже требуемого уровня. Преодоление затруднений, обусловливаемых чрезмерной трудоемкостью вычислений, происходит в двух направлениях. Первое из них основано на использовании общих положений блочно-иерархического подхода и выражается в переходе к представлениям подуровня регистровых передач, рассмотренным в 4.7. Второе направление основано на применении специализированных вычислительных средств логического моделирования, называемых спецпроцессорами или машинами логического моделирования (МЛМ), Важно отметить, что появление СБИС не только порождает потребности в таких спецпроцессорах, но и обусловливает возможности их создания с приемлемыми затратами. Разработанные к настоящему времени МЛМ функционируют совместно с универсальными ЭВМ и обеспечивают скорость моделирования 10 —10 вентилей в секунду. [c.254]

Advan ed S hemati - графический редактор многостраничных и иерархических принципиальных схем, из которого вызываются программы моделирования аналого-цифровых устройств и программы синтеза и моделирования ПЛИС [c.143]

После составления схемы моделирования, схем аппроксимации временных и функциональных зависимостей, расчета начальных условий вычисляют масштабы по переменным и рассчитывают машинные коэффициенты. Масштабы по переменным выбирают исходя из условия ограничения максимального напряжения i/max в АВМ. В зависимости от типа АВМ Umax равно 10, 25, 50 или 100 В. Таким образом, масштаб по переменной у [c.96]

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ИЗНАШИВАНИЯ ЛЕЗВИЙ. Чтобы вычислить значение износостойкости В, необходимо знать силу трения на контактных поверхностях взаимодействующей пары тел. Непосредственно измерить силу на поверхностях лезвия в процессе резания весьма затруднительно. Поэтому, чтобы определить закономерности изменения силы трения Г-, и массы Шу продуктов износа в зависимости от давления и скорости взаимного скольжения, используют метод физического моделирования. Схема моделирования трения и износа для условий, приближенных к процессу резания, аналогична схеме, использованной для изучения закономерностей наростообразования (см. рис. 6.8). В данном случае индентор изготовлен из инструментального материала и является изнашиваемым телом пары. Цилиндрический образец, зажатый в патроне токарного станка, изготовлен из конструкционного металла и является истирающим телом пары. До начала эксперимента на рабочем торце индентора подготавливается плоская контактная поверхность площадью Аг = 1 мм . Индентор своей контактной поверхностью прижимается к свежеобработанной поверхности цилиндра с нормальной силой р = рА . Давление р устанавливается в пределах 0,05... 0,6 ГПа, что соответствует средним значениям давления на контактных поверхностях режущих лезвий. [c.131]

Анализ электрических процессов в схеме в заданной отображающей точке назовем одновариантньш анализом. Одновариантный анализ может выполняться экспериментальными или расчетными методами. Экспериментальный анализ при проектировании предполагает построение экспериментального макета и сводится к измерению токов п напряжений в схеме с помощью измерительных приборов. Использование расчетных методов подразумевает замену экспериментального макета (физической модели) математической моделью схемы М.Ь С). Математической моделью схемы называется система уравнений, отображающая электрические процессы в схеме и представленная в форме, допускающей непосредственное применение какого-либо из известных методов для ее решения. Процесс получения ММС будем называть моделированием схемы . ММС формируется на основе математических моделей отдельных компонентов. Ма тематическая модель компонента (ММК) есть система уравнений, отображающая электрические процессы в компоненте и представленная в форме, допускающей непосредственное применение какого-либо из известных методов моделирования схем для объединения данной ММК с математическими моделями других компонентов. Процесс получения ММК называется моделированием компонента. [c.22]

Очевидно, что на точность получаемых результатов будут влиять такие факторы, как схема интегрирования, величина шага интегрирования Ат,-, количество КЭ в проскоке, число подынтервалов времени k, на которые разбит интервал Атс. Из рис. 4.20 видно, что при использовании уравнения (1.47) при k = 4 11 18 (кривые 1, 2, 3, 4) отличие результатов расчета от приближенной аналитической зависимости (4.79) составляет соответственно 0,19 0,14 0,08 0,01G (0) (при v = r). Таким образом, использование условия расчетной схемы, что, в свою очередь, в задаче об определении СРТ приводит к необоснованному завышению скорости трещины, особенно в области ее высоких значений (o r). Следует отметить, что значению k = при v = r соответствует шаг интегрирования Ат, равный времени прохождения волны расширения через наименьший КЭ в вершине трещины. Попытки более адекватного описания зависимости G (y) с помощью более точного моделирования раскрытия трещины путем увеличения количества КЭ в проскоке не дали существенного изменения зависимости G (o) (кривая 6). При использовании уравнения (1.41) зависимость G v) отличается от аналитической (4.79) менее чем на 1 % (кривая 5). В то же время следует отметить, что ограничение на шаг интегрирования, обусловленное устойчивостью решения уравнения (1.41), делает применение данной схемы при и [c.250]

Схема моделирования пары, составленной из двух металлических поверхностей, приведена на рис. 228. Зазор создается между поверхностями двух металлических образцов, армированных н плексигласовые патроны, которые крепятся один против другого при помопги трех планок, изготовленных из нержавеющей стали. Ширина зазора регулируется прокладками известной толщины, которые удаляются по- [c.350]

Учет латентности фрагментов. Локальные погрешности интегрирования зависят от значения шага интегрирования А и от характера переходных процессов. Если фазовые переменные претерпевают быстрые изменения, то погрешность не выше заданной обеспечивается при малых h. Если же фазовые переменные меняются медленно, то значения Л при тех же погрешностях могут быть существенно больше. В сложных схемах ЭВА, как правило, большинство фрагментов в любой момент времени относится к неактивным (латентным), т. е. к таким, в которых не происходит изменений фазовых переменных, причем отрезки латентности Т лат могут быть ДОВОЛЬНО продолжительными. в латентных фрагментах допустимо увеличивать шаг интегрирования вплоть до значения Глат, что эквивалентно исключению уравнений фрагментов из процесса интегрирования на период их латентности. Такое исключение выполняется в алгоритмах учета латентности, относящихся к алгоритмам событийного моделирования. Основу этих алгоритмов составляет проверка условий латентности. Примером таких условий может служить [c.248]

Повышение эффективности моделирования логических и функциональных схем. Для повышения эффективности решения уравнений методом Зейделя целесообразно использовать диакоптический подход, в рамках которого итерации выполняются отдельно по фрагментам логической схемы. Введем следующие понятия составной элемент — множество контуров обратной связи, имеющих попарно общие связи фрагмент логической схемы — составной элемент или комбинационная схема, состоящая из взаимосвязанных логических элементов, не вошедших в составные элементы. [c.252]

Возможность эффективной тепловой зашиты корпусных элементов от больших тепловых потоков успешно используется и при создании экспериментальных СВЧ плазмотронов [64]. Схемы СВЧ плазмотронов с предполагаемыми картинами течений при прямоточно-вихревой и возвратно-вихревой стабилизации плазмы показаны на рис. 7.30, а на рис. 7.31 показана зависимость мощности плазменного СВЧ излучения поглощаемого разрядом, и тепловой мощности fV , вьшеляюшейся в контуре охлаждения плазмотрона. Результаты опытов приведены в виде зависимости доли тепловых потерь WJW от удельного вклада энергии в разряд У = WJG, где G — расход плазмообразуюшего газа — азота. Результаты численного моделирования показаны на рис. 7.32,а — для традиционной прямоточно вихревой стабилизации и на рис. 7.32,6 — для случая с возвратно-вихревой стабилизацией. В первом случае рабочее тело — плазмообразующий газ — азот в виде закрученного потока подается в разрядную камеру, а во втором случае он подается в дополнительную вихревую камеру со скоростями 100 м/с ((7= 1 г/с) и 225 м/с ((7= 1,5 г/с), соответственно. По мнению автора работы [64] возвратный вихрь сжимает зону нагрева, предохраняя стенки камеры плазмотрона от перегрева. Основная часть газа проходит через разрядную зону, а размер зоны рециркуляции незначителен. В традиционной схеме (см. рис. 7.32,а) входящий газ смешивается с циркулирующим потоком плазмы и основная часть газа проходит мимо разряда вдоль стенок кварцевой трубки. Судя по приведенным модельным расчетам, схема с возвратно-вихревой стабилизацией позволяет снизить максимально достижимую температуру нагрева корпусных элементов примерно в 2,5 раза. Наиболее нагретая часть область диафрагмы, непосредственно примыкающая к отверстию имеет температуру 1400 К. Таким образом, использование возвратно-вихревой стабилизации плазмы позволяет изготовить СВЧ плазмотрон неохлаж-даемым из кварцевого стекла. Дальнейшее моделирование течения [c.356]

Основная идея метода. Имитация является одной из разновидностей метода Монте-Карло. Общую идею и схему применения этого метода несколько упрощенно можно сформулировать следующим образом. Для решаемой задачи, котор- - схзстоит в определении некоторого параметра, конструируется случайная величина, распределение которой зависит от этого искомого параметра. С помощью ЭВМ проводится моделирование построенной случайной величины, в результате которого находится набор ее реализаций. Далее по этому набору вычисляется статистическая оценка искомого параметра, которая и принимается за решение исходной задачи. [c.189]

В качестве примера, демонстрирующего особенности использования программного комплекса, остановимся на задаче моделирования динамики системы автоматического регулирования ядер-ной паропроизводящей установки (ЯППУ) малой мощности с реактором интегрального типа. В процессе проектирования системы автоматического регулирования исследовались проблемы расчетного обоснования ядерной безопасности ЯППУ в переходных режимах и в проектных аварийных ситуациях (обесточивание, стоп-вода , стоп-пар , отключение главного циркуляционного насоса и секций парогенератора и др.). Структурная схема моделируемой системы (см. рис. 11 на вклейке) скомпонована с помощью элементов каталога Реакторные блоки , а субмодели Кинетика нейтронов , Система управления , Теплофизические параметры АЗ и т.д., представляющие собой сложные многоуровневые структуры, набраны из каталогов общетехнической библиотеки типовых блоков. Общее число элементов в схеме - более 370, функциональных переменньгх - около 3000. На этом же рисунке размещены окна визуализации поведения физических параметров системы автоматического регулирования в процесее моделирования. [c.77]

mash-xxl.info

Моделирование - схема - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Моделирование - схема

Cтраница 1

Моделирование схемы на АВМ позволило не только описать наблюдаемые экспериментально кинетические закономерности, но и предсказать некоторые из них, до сих пор еще не полученные, и тем самым уточнить направление дальнейших исследований. Так, например, можно показать ( рис. 11, а), что введение в реакционную систему в нулевой момент времени матричного катализатора Z приводит к уменьшению индукционного периода и возрастанию максимальной скорости. Серия кривых с различными начальными концентрациями Z приведена на рис. 11, а, из которого видно, что увеличивая концентрацию Z в системе можно осуществить тримеризацию практически без индукционного периода. [1]

Для моделирования схем с ПЗС рассматривается структура, состоящая из ряда МДП-элементов, разделенных зазорами. Рассмотрим отдельно модели МДП-элемента и зазора. [2]

Для моделирования схемы замещения важно знать, к каким ветвям воздушного зазора относятся ветви выделенных участков. Поэтому необходимо найти формальные признаки и составить алгоритм, сортирующий ветви участков и объединяющий их в ветви схемы замещения. [4]

Для моделирования схем прозвучивания при УЗ контроле сварных швов и анализа полученных в каждом конкретном случае ситуаций рекомендуется применять специальную линейку, на сменной вставке которой изображаются конкретное сечение шва и околошовная зона. Перемещение УЗ луча относительно - шва осуществляют смещением движка линейки относительно вставки. [6]

Опыт моделирования схем динамического торможения показывает, что при расчете подавляющего большинства режимов следует принимать ненасыщенными главную индуктивность и индуктивности рассеяния. Учет насыщения путей рассеяния производится выбором соответствующих значений индуктивных сопротивлений рассеяния только в тех случаях, когда ток динамического торможения в 2 - 3 раза больше номинального тока двигателя. [8]

При моделировании схем на дискретных компонентах в качестве моделей пассивных компонентов используются, как правило, константы, соответствующие их номиналам. В ИС для повышения точности расчетов в ряде случаев целесообразно применять более сложные модели. [10]

При моделировании схем производства большая и детальная машинная программа должна быть использована лишь в том случае, если без нее получаются бессмысленные результаты. [11]

Следовательно, для моделирования схем тиристорных коммутаторов при неизолированной нейтрали двигателя необходимо правильнее определение величин сопротивлений нулевой последовательности, которые в настоящее время, к сожалению, можно определить только экспериментальным путем. [12]

Пользуясь пакетами программ для моделирования схем, пользователь вначале с помощью редактора принципиальной схемы задает ее вид. Этот процесс в интерактивных пакетах устроен достаточно изящно: передвигая курсор по экрану, можно выбирать из специального графического окна условные изображения элементов и двумя-тремя нажатиями клавиш соединять выбранные точки схемы ( подробнее см. в § 2.5) Кроме того, пользователь может задать номиналы выбранных элементов или их типовые параметры из базы данных. [13]

Условные переходы используются для моделирования схемы принятия решений и циклов, реализуемых в прикладной программе. Возможны несколько видов условных переходов. С помощью статистических условных переходов ( например, в 80 % случаев переход на А, а в 20 % - на В) можно моделировать случаныс процессы. Условные переходы по значению выполняются в зависимости от значений параметров, счетчиков или других статистических переменных. [14]

Рассмотрим применение этого принципа при моделировании схем на биполярных транзисторах и диодах. На рис. 12, а, б показаны СЭСК транзистора и диода, соответствующие моделям ПАЭС этих компонентов. [15]

Страницы: 1 2 3 4

www.ngpedia.ru

Основные правила моделирования электронных устройств

Характерной ошибкой при анализе электронных схем с использованием программ схемотехнического анализа (в частности MicroCAP) является «лобовой» подход к моделированию. При этом принципиальная схема устройства (подчас – достаточно сложного) механически переносится в редактор схем, затем лихорадочно ищутся модели компонентов или их аналоги (подобных вопросов полно в любом форуме по электронике). Но, к удивлению новичков, при попытке запустить анализ ничего похожего на ожидаемые режимы работы не получается. Или же появляется сообщение о какой-нибудь ошибке. Сразу же – разочарование. Ведь все компоненты и их номиналы скопированы с рабочей схемы (книги, журнала и т.п.). А схема не работает. И все попытки определить причину такого поведения программы схемотехнического анализа обычно заканчиваются неудачей. После этого выносится вердикт – программа никуда не годна. И начинается поиск новой версии или другой, более «продвинутой» программы. Хотя на самом деле причина неудач банальна – незнание принципов работы систем схемотехнического анализа, алгоритмов расчета и используемых моделей компонентов. И, как следствие, непонимание ограничений, которые необходимо учитывать при моделировании электронных устройств.

Современные версии программы MicroCAP позволяют моделировать достаточно сложные схемы. Это – большой плюс для опытных пользователей, но ловушка для новичков. У них возникает желание сразу промоделировать электронное устройство именно в том виде, в каком оно изображено на принципиальной схеме. Но это обычно удается только для очень простых случаев. А в остальных – необходимо сначала немного подумать и отсечь лишнее. Ведь каждый компонент усложняет расчетную модель, увеличивает вероятность ошибки и усложняет отладку схем. Да, именно отладку. Очень многие не придают значения тому, что проводят имитационное моделирование. И поведение расчетной модели имитирует поведение реальной схемы во всем. В том числе – и в процессе настройки.

Странно, но почти ни у кого не вызывает удивление тот факт, что сколько-нибудь сложная аналоговая схема сразу после сборки как правило не работает и требует настройки (проверки и подгонки режимов). А что такой же подгонки и проверки требует расчетная модель – почему-то вызывает удивление.

Авторы статьи используют программы семейства MicroCAP достаточно давно (начиная с MicroCAP-II). Естественные ограничения и несовершенство младших версий позволили за эти годы наработать ряд приемов, которые позволяли выполнять достаточно сложные расчеты даже при скудных возможностях программы (в свое время, при проведении моделирования для кандидатской диссертации вполне хватило учебной (ограниченной) версии MicroCAP-IV) . Эти приемы актуальны и при использовании современных версий. Они намного упрощают освоение программ схемотехнического анализа и получения практических навыков работы с ними, а также позволяют сэкономить массу времени, которое начинающие пользователи тратят на борьбу с характерными ошибками. Кроме того, использование помимо компьютера еще и собственной головы позволяет лучше разобраться в принципах работы моделируемых электронных устройств.

Общие правила моделирования достаточно просты. Необходимо четко осознать, что моделирование электронных устройств с использованием пакетов программ схемотехнического анализа включает в себя несколько этапов:

1. Определение задач моделирования; 2. Анализ моделируемой схемы, разложение ее на функциональные узлы и выбор упрощающих допущений; 3. Построение модели анализируемого устройства с учетом упрощающих допущений; 4. Проведение расчета по построенной модели и анализ полученных результатов; 5. Максимально возможное приближение модели к схеме анализируемого устройства, получение окончательных результатов и их анализ.

Рассмотрим эти этапы подробнее.

• Определение задачи моделирования. Моделирование электронного устройства подразумевает, что это устройство предварительно разработано и проведен расчет его компонентов инженерными средствами. Поэтому в задачи моделирования могут входить:

1. Подтверждение правильности проведенных инженерных расчетов и проверка работоспособности устройства; 2. Исследование чувствительности к разбросу параметров компонентов; 3. Исследование нестационарных и аварийных режимов работы 4. Исследование температурной нестабильности устройства; 5. Подбор корректирующих цепей.

• Анализ моделируемой схемы, разложение ее на функциональные узлы и выбор упрощающих допущений. Как уже отмечалось выше, большинство электронных устройств слишком сложны для непосредственного анализа. Если в качестве модели использовать полную принципиальную схему, время расчета становится неоправданно большим, либо такой расчет не удается провести вовсе. Однако, анализ любой схемы показывает, что она состоит из основных и вспомогательных функциональных узлов. Вспомогательные узлы обеспечивают заданные режимы работы основных узлов и моделирование их работы нецелесообразно (по крайней мере – на первом этапе). К ним относятся цепи питания, источники тока и напряжения смещения, задающие генераторы и т.п. Как правило, все эти узлы целиком целесообразно заменить стандартными моделями MicroCAP.

Наиболее характерные примеры упрощенных моделей:

Источник питания - battery Источник напряжения смещения (стабилитрон, прямосмещенный диод) - battery Источник тока Isource Задающий генератор (прямоугольник, пила) - pulse source Сеть промышленной частоты (220В, 50Гц) - sine source Понижающий сетевой трансформатор - sine source Варикап - capacitor Компаратор, транзисторный ключ - switch Операционный усилитель с ограничением - function sources

• Построение модели анализируемого устройства с учетом упрощающих допущений. Используя рассмотренные выше допущения, строится упрощенная модель анализируемого устройства. Распространенной ошибкой является построение сразу полной модели. Если моделируемое устройство достаточно сложное, то для построения работоспособной модели целесообразно пользоваться методом поблочной настройки, используемым для наладки реальных электронных устройств. Суть его, в применении к построению расчетной модели, состоит в том, что сначала добиваются работоспособности отдельных узлов и лишь потом объединяют их вместе. Например, при анализе усилителя мощности целесообразно сначала промоделировать входной каскад на ОУ (не забыв соответствующим образом замкнуть обратную связь), затем подсоединить выходные каскады, подобрать напряжение смещения этих каскадов и лишь затем завести общую обратную связь и добавить цепи термостабилизации, коррекции и защиты по току. Пренебрежение этим правилом иногда сильно затрудняет получение работоспособной модели.

Кроме того, не стоит забывать, что поиск моделей конкретных компонентов (например, точной модели какого-нибудь транзистора, используемого в реальной схеме) в подавляющем большинстве случаев является нецелесообразным. Задание в стандартной модели того же транзистора основных справочных параметров практически гарантированно дает вполне приемлемый результат (если, конечно, целью моделирования не является исследование поведения конкретного транзистора в данной схеме).

Вообще же для первичного анализа целесообразно применять базовые модели компонентов. Но, в тоже время – необходимо знать их особенности. К примеру, отсутствие насыщения у простейшей модели операционного усилителя приведет к неработоспособности ряда схем, в которых используется именно этот режим работы компонента.

• Проведение расчета по построенной модели и анализ полученных результатов. После получения упрощенной модели проводятся расчеты в соответствии с задачами моделирования. На этом этапе анализ полученных результатов проводится для того, чтобы проверить правомерность принятых упрощающих допущений и, если нужно, провести усложнение модели. На этом же этапе проводится точный подбор цепей смещения и коррекции, а также статистический анализ и определение чувствительности к параметрам компонентов.

• Максимально возможное приближение модели к схеме анализируемого устройства, получение окончательных результатов и их анализ. На этом этапе проводят окончательный расчет по скорректированной модели, получают все необходимые характеристики и на основе их анализа делают окончательные выводы.

Марина Амелина, Сергей Амелин [email protected]

На главную

microcap-model.narod.ru

Схема - моделирование - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

Схема - моделирование

Cтраница 1

Схема моделирования собирается на АВМ и отлаживается лаборантом до начала занятия. Лаборант ( или преподаватель) показывает студентам, какие операции необходимо выполнить, чтобы найти с помощью АВМ значение R0lt удовлетворяющее условию (11.7.3), и вычертить на графопостроителе профиль кулачка. [1]

Схема моделирования для каждого частного случая в соответствии с решаемой системой уравнений составляется из имеющихся в наличии 16 операционных усилителей и набора элементов обратных связей. Усилители постоянного тока, охваченные отрицательной обратной связью, выполняют операции интегрирования, дифференцирования, инвертирования, суммирования и масштабных преобразований. Четыре диодных элемента при совместном включении с усилителями позволяют моделировать неоднозначные или разрывные функции петли гестерезиса, сухого трения, зоны нечувствительности релейной характеристики, установка включает также блоки перемножения двух переменных БП-4 и блоки воспроизведения однозначных нелинейных функций от одной переменной ( БП-10), схемы которых построены на ламповых диодах. Погрешность блоков нелинейности и перемножения не превосходит 1 % по отношению к шкале 100 в. Установка может осуществлять одноразовое решение или автоматическое повторение решения. Схема совпадения позволяет производить в процессе решения автоматическое сравнение двух переменных, простое изменение в структурной схеме задачи или автоматическую фиксацию решения. [2]

Схема моделирования кулонова трения. [3]

Схема моделирования имеет вид, показанный на рис. 3.3, а. Как видно из схемы, применение данного преобразования освобождает от нахождения производных от входного воздействия. [4]

Схема моделирования такого уравнения в общем виде, в использованием метода вспомогательной переменной, рассмотрена выше. [5]

Схема моделирования с весами строится следующим образом. [6]

Схема моделирования этих уравнений на АВМ приведена в приложении. Выполнению работы предшествует ознакомление с ее описанием и приложением к ней. [7]

Схема моделирования уравнения ( 145) состоит из одного интегратора, у которого имеется всего один вход, соединенный с выходом усилителя. [8]

Схема моделирования преобразователя показана на рис. 19.16. В данной схеме, по сравнению со схемой рис. 19.12, добавлено несколько новых элементов, позволяющих реализовать рассматриваемый способ управления. [10]

Схема моделирования уравнений (II.1.10) - (II.1.18), приведенная на рис. 11.1.2, включает девять решающих блоков ( по числу уравнений), из которых два интегратора ( 6 и 7), пять сумматоров ( 2 - 5, 9) и два нелинейных блока; БН-i воспроизводит возведение о квадрат lv, fi / - 2 - извлечение квадратного корня. Усилители / и 8 выполняют необходимые операции перемены знака. На схеме показано, какие переменные отображают напряжения на выходах решающих блоков. [11]

Схема моделирования системы, показанной на рис. 1.117, приведена на рис. 3.4. На схеме штриховыми линиями обведены участки, соответствующие реализации каждого звена структурной схемы, и приведены выражения, позволяющие получать числовые значения коэффициентов звеньев на АВМ. [12]

Схема моделирования системы уравнений ( рис. 2 - 6) состоит из частей, которые не связаны между собой изображениями проводов. Электрическое соединение точек схемы указывается здесь UJI тем, что эти точки имеют Уг а 2 одинаковые буквенные обозначения. Так поступают во всех сложных структурных блок-схемах. [14]

Схема моделирования следящей системы, составленная согласно уравнениям ( VII. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5